第240章 国内外的碳基芯片进展（3 / 4）

不同。

  国内目前的碳基芯片或者说集成电路的预计制备流程还十分初级和原始，完善的空间还很大，大概是这样的：

  第一步是把碳纳米管提纯到%，俗称6个9的纯度之后，得到半导体碳纳米管，只有这个纯度或者以上的碳纳米管才有可能用于集成电路。

  第二步则是要在晶圆上面亮度地排列碳纳米管。

  这一步国内使用的方法是维度限制自组装方法，先是把上一步提纯出来的碳纳米管分散在三氯乙烷里，随后再在分散液上滴上丁烯二醇，丁烯二醇会在三氯乙烷表面形成一个不互融的薄层。由于上一步提纯步骤在碳纳米管表面包裹了一层高分子，所以碳纳米管会在丁烯二醇和三氯乙烷的界面上平行排列。

  这时再把竖插在溶液中的晶圆缓缓垂直拉起，液体的表面张力会把这些碳纳米管平行地拉到晶圆上面，一微米的空间里面，甚至能够放下多达二百根碳纳米管。

  接下来再给碳纳米管两边增加源漏电极和门电极，把它真正变成一个晶体管，这些都需要用到光刻技术这些微加工技术。

  是的，目前的碳基芯片还是一样需要使用光刻及电子束刻蚀等技术，才能得到纳米级的电子图形。

  并没有一些人想象的那么轻松，换了一种材料就可以甩开一切束缚。

  因为这种微观层面的加工能力是芯片所必须的。

  哪怕不用光刻机，也会有暗刻机、明刻机……

  陈神对此也早有心理准备，不过他还是希望能够找出一种不需要光刻机的工艺。

  毕竟纳米图形的加工能力也不是只有光刻机才拥有的。

  他如果等待国内光刻机研发的话，那完全就是浪费了他手上的碳基芯片技术。

  看完这些数据，继续往下翻，很快就让他发现了一篇不一样的论文。

  《dna定向纳米制备高性能碳纳米管场效应晶体管》

  这同样是圆明园职院的一位教授所发表的论文。