第一八零章 FinFET工艺（2 / 3）

这五百万美元，花的可就有点冤枉了，成套的铝金属连接技术，只要花时间，总能得到解决。

在王岸然的办公室，东芝的技术代表桥本龟太郎，鞠躬鞠的王岸然头晕。

“岸然君，贵方要求的，与东芝公司成立合作研究机构，致力于半导体芯片加工中，金属铜物理气相沉积PDV的研究，已经得到公司的审批，东芝公司非常愿意跟华芯公司展开更深入的合作。”

王岸然站起身来，跟桥本龟太郎热情的握了握手。

这项合作可是花了华芯科技三十四条专利授权，加上1000万美金的技术服务费才达成的。

价值人民币上亿，贵可能贵了点，不过王岸然认为有价值，这就已经足够了。

于此同时，浸入式光刻与双工台的研究也开始进入日程，让王岸然苦恼的是，他找不到合适的技术带头人，所以一直无法推进。

不过另一项与浸入式光刻齐名的FinFET生产工艺，王岸然觉的大有可为。

Fin Field_Effect Transistor 鳍式场效应晶体管，相比与MOS晶体管而言，这是一款新型的晶体管模式。

是有华人科学家胡正明教授提出，并建立了系统的数学模型。

特点是工艺不变的情况下，可以在相同的面积内塞进更多的晶体管，而且漏电量和功耗同步大幅度降低。

FinFET技术在9102年已经相当成熟，他本是Intel于2011年第一次推出，用于22纳米制造工艺上的第三代酷睿处理器上，随后大部分的半导体厂家开始加入到FinFET工艺阵营当中。

技术难度比起普通的MOS有所提高，工艺上也增加了几十道光、蚀刻、清洗、填塞、气相沉积过程。

对华芯科技而言，技术难点就是材料的物理气相沉积PDV技术，以及堆叠薄膜镀层保护和蚀刻技术。

相比沉浸式光刻技术以及双工台技术的难度而言，FinFET技术犹如学生的作业题，在现有的技术条件下就可以完成。

加上自对准双重成像技术SADP，一旦得到攻克，王岸然有信心在不调整硬件的基础上，实现800纳米制造工艺的突破，并将芯片的集成度达到320纳米制造工艺的程度。

研究课题的确认，需要理论方面的支持，基于FinFET工艺的BSIM数学模型有现实的指导意义。

9102年，如果一个芯片底层硬件逻辑电